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英国研发新一代革命性内存:10ns延迟、功耗仅有1%

2020年美光三星等公司会推出新一代的DDR5内存,〢最高速率可达6400Mbps,将逐步取代DDR4内存。现在的DRAM☼内▍存技术还在ζ升级,但是技术瓶۩颈也日趋明显,研究人员正在寻找新的内┆┇存替代技术,英国就找到了新方向——全新♦内存延迟可低至1╪0ns,功耗仅有现在1%。

多年来人们一直在卌寻求完美的“内存”芯片❤,它既需要低延迟〨、高带宽,也要功耗低┍(不需要卍频繁刷新),Δ同时∽还得容量⌒大,成本低,更重要的是具备断电不损失数据的特性,可以说是NANЩD闪存及DRAM内存的完美体。

这么多要求,做起来可真不容易,Intel的傲۩腾内存是基于PCM相变内存技术的,π在可靠性、╟延ↈ迟等问题上已经大幅◥领先现在的ω闪存,更接近D۩..RAM内存芯й片了,不过超越内存还达不到。

日前&外媒报⊿道称,英国的研究人员找到了一种新型的“内存”,≧它使用的是I♡II-V族材≤料,主要是InAs砷化铟和AlSb锑化铝,用这些材料制成的NVηDRAM非易失性内▓存具备优秀的特性,在同№&样的性能∝下⿱开关能量┙低了100倍,也就是说功耗只有现有D◣RAM内ξ存的1%,同时延迟可低至10ns。

总▔之∷♥,这种新型材料制成的内存芯片具备三大特性——超低功耗、写入不破坏数据、非易失性,其性能相比现在的D】RAM内存倒是没多大提Д升,10ns级别的延迟跟DDR4内存差不多,但是上面三条特性,尤其是非易失性就足够让“内存”革命了。

不过也↙没法高兴太✿。✿早,英国研发︹︺︻人员︵现◥在只是找到了新一代III-V材料内存的理论方向,真正大规模制造这种内存还是没影的事,就像是像传了很久的MRAM、PCM、RRAM芯♯♮片一样。

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